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16K,FLASH芯片
1 產(chǎn)品概述 1.1 產(chǎn)品特性 內(nèi)核 1T 8051 內(nèi)核,兼容標(biāo)準(zhǔn) 8051 指令集 內(nèi)核最高工作頻率 16MHz 存儲(chǔ) 16K 字節(jié) FLASH 程序存儲(chǔ)器 128 字節(jié) EEPROM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 SRAM,核內(nèi) 256 字節(jié),核外 768 字節(jié) 復(fù)位與啟動(dòng) 內(nèi)置上電復(fù)位 POR 內(nèi)置掉電復(fù)位 BOR,支持 8 檔掉電復(fù)位 1.6V~4.4V,步進(jìn) 0.4V 支持外部復(fù)位端口 RSTN,低電平復(fù)位(此模式下芯片復(fù)位在 100us 內(nèi)完成) 時(shí)鐘 外部 32K-20MHz 晶體振蕩器 XOSC 內(nèi)部 16MHz 高精度振蕩器 HRC(出廠校準(zhǔn)精度<±1%,全溫工作精度<±2%) 內(nèi)部 16KHz 低功耗振蕩器 LRC,支持 HRC 輔助修正,修正精度<±3% 調(diào)試和編程 單線調(diào)試,單線編程 工作條件 VDD=4.5V~5.5V@16M VDD=3.0V~5.5V@8M VDD=1.8V~5.5V@2M 工作溫度范圍 -40~85℃ 功耗 待機(jī)睡眠功耗典型功耗 5uA LRC 運(yùn)行功耗典型功耗 15uA 8MHz@5V 運(yùn)行功耗典型 3mA 端口 最多支持 30 個(gè) I/O 端口, 8 個(gè)可復(fù)用 COM 口(COM 端口灌電流最大 80mA) 12 個(gè) SEG 復(fù)用口支持 2,4,8,15mA 模式 所有端口支持獨(dú)立弱上拉和弱下拉控制,可同時(shí)開(kāi)啟上拉和下拉 所有端口支持外部中斷喚醒F03 數(shù)據(jù)手冊(cè) 外設(shè) 4 路 16 位定時(shí)/計(jì)數(shù)器 TMR,支持比較捕捉功能 3 組獨(dú)立 16+3 位 PWM,每組支持 2 路互補(bǔ)或同相輸出 24 通道 TouchKey 12 通道 12 位 SAR ADC,其中 1 路通道用于 VDD 檢測(cè),支持 TMR2 設(shè)定觸發(fā) ADC,可配合 PWM 設(shè)置觸發(fā)點(diǎn)。 內(nèi)置參考電壓 2.5V,2.048V,1.5V,1.2V, 1.024V,0.8V,0.2V,出廠校準(zhǔn)精度<±1% 8COM x 12SEG LED 驅(qū)動(dòng) 內(nèi)置低電壓檢測(cè)模塊 LVD;支持對(duì) VDD 8 檔低電壓檢測(cè)電壓 1.8V~4.6V,步進(jìn)電壓為 0.4V;支持 外部管腳輸入 LVD 檢測(cè),比較電壓為 1.2V。 1 路 SPI 1 路 IIC,支持 7 位地址主從模式 2 路 UART 封裝類型 SOP16 / SOP20 / SSOP24 / SOP28 / QFN32 / LQFP32 / SSOP28 |
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